NTD40N03R
功率MOSFET
45安培， 25伏
N沟道DPAK
特点
平面HD3e工艺的快速开关性能
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
低栅电荷
优化的高边开关要求
高效率DC -DC转换器
无铅包可用
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 结到外壳
总功率耗散@ T
C
= 25°C
漏电流
- 连续@ T
C
= 25 ℃，芯片
- 连续@ T
A
= 25 ℃，电线有限公司
- 单脉冲（ TP
≤
10
女士）
热电阻 - 结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热电阻 - 结到环境
（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
, T
英镑
T
L
价值
25
±20
3.0
50
45
32
100
71.4
2.1
9.2
100
1.5
7.8
-55
175
260
单位
VDC
VDC
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
° C / W
W
A
°C
°C
http://onsemi.com
45安培， 25伏
R
DS （ ON）
= 12.6毫瓦（典型值）
N沟道
D
G
S
4
4
1 2
3
CASE 369AA
DPAK
（表面贴装）
方式2
1
2
3
CASE 369D
DPAK
（直引线）
方式2
标记图
＆放大器;引脚分配
4漏
YWW
T40
N03
4漏
YWW
T40
N03
3
来源
1
门
2
漏
40N03 =器件代码
Y
=年
WW =工作周
3
来源
出版订单号：
NTD40N03R/D
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.当表面安装用0.5平方的FR4电路板。在焊盘尺寸。
2.表面安装的FR4板采用最低配置推荐
焊盘尺寸。
1
门
2
漏
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年4月 - 修订版5
