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高速IGBT
随着二极管
短路SOA能力
初步数据表
IXSA 10N60B2D1
IXSP 10N60B2D1
V
CES
= 600 V
= 20 A
I
C25
V
CE （ SAT ）
= 2.5 V
D1
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
F(110)
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑体
T = 10秒
M
d
重量
安装力矩
(TO-220)
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 ° C，R
G
= 82
钳位感性负载，V
GE
= 20 V
V
GE
= 15 V, V
CE
= 360 V，T
J
= 125°C
R
G
= 150
,
不重复
T
C
= 25°C
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 110°C
最大额定值
600
600
±
20
±
30
20
10
11
30
I
CM
= 20
@ 0.8 V
CES
10
100
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
250
V
V
V
V
A
A
A
A
A
s
W
°C
°C
°C
°C
°C
g
特点
国际标准封装
保证短路SOA
能力
低V
CE （ SAT ）
- 低通态传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
快速下降时间的切换速度
高达20千赫
应用
交流电机调速
不间断电源（UPS ）
焊接
优势
高功率密度
克碳
E
C（ TAB ）
G
E
C（ TAB ）
TO- 263 （ IXSA ）
TO- 220AB （ IXSP ）
G =门
E =发射器
C =收藏家
TAB =收藏家
1.3 / 10牛米/磅。在
2
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
4.0
7.0
75
200
±
100
2.5
V
A
A
nA
V
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
= 750
A,
V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±
20 V
I
C
= 10A ，V
GE
= 15 V
DS99193A(10/04)
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