PD - 91400C
抗辐射
功率MOSFET
直通孔（ TO- 257AA ）
产品概述
产品编号辐射水平
IRHY9130CM 100K拉德（SI ）
IRHY93130CM 300K拉德（SI ）
R
DS （ ON）
0.30
0.30
I
D
-11A
-11A
IRHY9130CM
JANSR2N7382
100V ， P- CHANNEL
REF ： MIL -PRF-六百十五分之一万九千五百
RAD硬HEXFET
技术
QPL型号
JANSR2N7382
JANSF2N7382
国际整流器公司？的RADHard HEXFET
技
术提供高性能功率MOSFET的
空间应用。该技术拥有超过一去
经过验证的性能和可靠性的卫星凯德
应用程序。这些装置已经character-
美化版为总剂量和单粒子效应（ SEE ） 。
低导通电阻和低栅极电荷的结合
减少了功率损耗的开关应用
例如DC到DC转换器和电动机控制。这些
设备保留所有已确立的优势
MOSFET的诸如电压控制的，快速的切换，
方便的elec-并联和温度稳定性
Trical公司的参数。
TO-257AA
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
硬化单粒子效应（ SEE ）
低R
DS （ ON）
低总栅极电荷
腾宽容
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = -12V ， TC = 25℃连续漏电流
ID @ VGS = -12V ， TC = 100 ℃的连续漏电流
IDM
漏电流脉冲
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度
重量
-11
-7.0
-44
75
0.6
±20
150
-11
7.5
-16
-55到150
预辐照
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
（在（ 1.6毫米）从案例10秒0.063 ） 300
4.3 （典型值）
g
对于脚注参考最后一页
www.irf.com
1
06/13/02
