4.2.1.10
写NVM命令
写NVM命令支持以下命令格式：
标准长的命令
增强的长命令配置的格式控制命令（参考
第4.2.1.11 ）
该设备会忽略写入NVM命令该命令是不是在任何其他的格式，或者如果DSI设备地址被设置为
对“0000” DSI全球设备地址。
写NVM命令使用半字节地址定义，
表2
并总结在
表39 。
表34.写NVM命令
数据
D[7]
WA[3]
地址
D[2]
RD[2]
命令
A[0]
A[0]
D[6]
WA[2]
D[5]
WA[1]
D[4]
WA[0]
D[3]
RD[3]
D[1]
RD[1]
D[0]
RD[0]
A[3]
A[3]
A[2]
A[2]
A[1]
A[1]
C[3]
1
C[2]
0
C[1]
0
C[0]
1
CRC
0到8位
表35.写NVM命令位定义
位域
C[3:0]
A[3:0]
RD [3 ：0]的
WA [3 ：0]的
写NVM命令= ' 1001 '
DSI设备地址。这个字段包含设备地址。此字段必须在内部编程的地址字段相匹配。否则，该命令是
忽略不计。
RD [3：0 ]中包含的数据将被写入到OTP位置由WA处理[3：0 ]时的NV位被置位。
WA [3： 0]包含OTP寄存器的四位地址要写入时的NV位被置位。
德网络nition
表36.长的响应 - 写NVM命令（ NV = 1 ）
数据
D[15]
A[3]
D[14]
A[2]
D[13]
A[1]
D[12]
A[0]
D[11]
WA[3]
D[10]
WA[2]
D[9]
WA[1]
D[8]
WA[0]
D[7]
1
D[6]
1
D[5]
Bnk[1]
D[4]
Bnk[0]
D[3]
RD[3]
D[2]
RD[2]
D[1]
RD[1]
D[0]
RD[0]
CRC
0到8位
表37.长的响应 - 写NVM命令（ NV = 0 ）
数据
D[15]
A[3]
D[14]
A[2]
D[13]
A[1]
D[12]
A[0]
D[11]
0
D[10]
0
D[9]
0
D[8]
0
D[7]
1
D[6]
1
D[5]
1
D[4]
1
D[3]
A[3]
D[2]
A[2]
D[1]
A[1]
D[0]
A[0]
CRC
0到8位
表38.写NVM的响应位定义
位域
BNK [1 ：0]的
A[3:0]
RD [3 ：0]的
WA [3 ：0]的
德网络nition
这些位提供的初始化命令选择银行地址。
DSI设备地址。这个字段包含设备地址。此字段必须在内部编程的地址字段相匹配。否则，该命令是
忽略不计。
RD [ 3 ： 0]包含由WA处理寄存器的内容[ 3 ：0] NVM写执行后。
WA [3： 0]包含OTP寄存器的四位地址要写入时的NV位被置位。
写入到OTP只发生当NV位被置位。在NV位被初始化命令设置（参考
第4.2.1.1 ） 。
如果
在执行该命令时， NV位被清零时，反射镜的寄存器由WA处理[3 ：0]用的内容更新
RD [3：0 ]和不管WA [3：0 ]中的DSI设备地址被返回的值。如果写入NVM命令是一个请求到
更改设备的地址，则返回新的设备地址。
在DSI总线空闲电压必须大于最小V
PP
当电压编程OTP阵列。无内部核查
VPP电压的完成而写的过程。要验证正确的写操作，建议寄存器回读
写后验证正确的内容。总执行时间写NVM命令为t
PROG_BIT
倍的比特数
正被编程（1 - 4位）。写NVM命令和后续DSI命令必须与帧间间隔
适应这一时机。
使用Write NVM命令将更新镜子寄存器，导致写入到用户可编程OTP阵列
改变所述NV位的状态和LOCK_U位到CRC计算无关。的CRC不匹配将只检测
如果LOCK_U位是有效的（参照
第3.2.2节） 。
MMA16xxNKW
36
传感器
飞思卡尔半导体公司
