UT3401Z
典型特征（续）
功率MOSFET
栅源电压， -V
GS
(V)
最大正向偏置安全
工作区
100.0
连续漏电流， -I
D
(A)
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
40
电容（pF）
单脉冲功率额定值
结到环境
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10μs
100μs
1ms
功率（W）的
100
30
R
DS （ ON）
10.0有限
20
1.0
1s
10s
0.1s
10ms
10
DC
0.1
0.1
1
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
漏源电压， -V
DS
(V)
脉冲宽度（S ）
归一化的最大瞬态热阻抗
10
归一化瞬态热
电阻，Z
θJA
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01,
单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
1
10
100
1000
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4 5
QW-R502-163.E
