MSC1211 ， MSC1212
MSC1213 ， MSC1214
www.ti.com
SBAS323G - 2004年6月 - 修订2007年10月
数字化的特征： DV
DD
= 2.7V至5.25V
所有从T规格
民
给T
最大
， FMCON = 10H ，所有数字输出高， PDCON = 00H （所有的外围设备）或PDCON = FFH （所有外设关闭） ， PSEN和
ALE启用（所有的外围设备）或PSEN和ALE禁用（所有外设关闭） ，除非另有说明。
MSC1211/12/13/14
参数
数字电源要求
DV
DD
普通模式中，f
OSC
= 1MHz时，外设关闭
普通模式中，f
OSC
= 1MHz时，外围设备
数字电源电流
普通模式中，f
OSC
=为8MHz ，外设关闭
普通模式中，f
OSC
=为8MHz ，外围设备
水晶操作停止模式（ 1 ）
DV
DD
普通模式中，f
OSC
= 1MHz时，外设关闭
普通模式中，f
OSC
= 1MHz时，外围设备
数字电源电流
普通模式中，f
OSC
=为8MHz ，外设关闭
普通模式中，f
OSC
=为8MHz ，外围设备
水晶操作停止模式
(1)
数字输入/输出（ CMOS ）
逻辑电平
I / O引脚迟滞
端口0-3 ，输入漏电流，输入模式
引脚EA ， RST输入漏电流
VOL ， ALE ， PSEN ，端口0-3 ，所有输出模式
I
OL
= -1mA
I
OL
= -30mA （5V） ， -20mA （3V）
I
OH
= 1毫安
I
OH
= 30毫安（5V） ， 20毫安（5V）
DV
DD
0.4
DGND
1.5
DV
DD
0.1
DV
DD
1.5
9
闪存编程模式下
9
DV
DD
V
IH
DV
DD
或V
IH
= 0V
V
IH
（除XIN引脚）
V
IL
（除XIN引脚）
0.6
DV
DD
DGND
700
<1
<1
0.4
DV
DD
0.2
DV
DD
V
V
mV
pA
pA
V
V
V
V
k
k
4.75
2.7
3
0.9
1.1
5.7
7.5
100
5
1.7
2.4
11
14.8
100
5.25
3.6
V
mA
mA
mA
mA
nA
V
mA
mA
mA
mA
nA
条件
民
典型值
最大
单位
VOH ， ALE ， PSEN ，端口0-3 ，强劲动力输出
端口0-3 ，上拉电阻
引脚ALE ， PSEN ，上拉电阻在复位
振荡器/时钟输入/输出
外部振荡器/时钟
V
IH
（除XIN引脚）
V
IL
（除XIN引脚）
XOUT必须悬空
XOUT必须悬空
0.6
DV
DD
DGND
DV
DD
0.2
DV
DD
V
V
（ 1 ）数字欠压检测禁用（ HCR1.2 = 1 ） ，低电压检测禁用（ LVDCON.3 = 1 ） 。端口配置为CMOS输出低电平。
FLASH存储器特性： DV
DD
= 2.7V至5.25V
MSC1211/12/13/14
参数
闪存耐力
闪存数据保留
质量和页擦除时间
闪存的写入时间
闪存编程电流（ 1 ）
设置FER在FTCON
设置FWR在FTCON
DVDD = 3.0V
DVDD = 5.0V
条件
民
100,000
100
10
30
40
10
25
典型值
1,000,000
最大
单位
周期
岁月
ms
s
mA
mA
（ 1 ）在质量和页擦除时间和内存写入时间峰值电流。
8
