数据表
4V驱动P沟道MOSFET
RSD160P05
Structure
硅P沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
CPT3
(SC-63)
<SOT-428>
6.5
5.1
2.3
0.5
1.5
■特点
1）低导通电阻。
2 ）开关速度快。
3 ）驱动电路可以很简单。
4）并行使用是容易的。
应用
开关
5.5
0.9
0.75
0.65
0.9
(1)
2.3
(2)
(3)
2.3
0.8Min.
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位（件）
RSD160P05
TAPING
TL
2500
○
内部电路
1
2
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
“绝对
最大额定值
(T
a
= 25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
T
ch
T
英镑
*1
范围
45
20
16
32
16
32
20
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
*1
*2
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
*2 T
c
=25C
热阻
参数
渠道情况
* T
c
=25C
符号
R
TH（ CH-C ）
*
范围
6.25
单位
C
/ W
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1/6
2011.08 - Rev.A的
2.5
1.5
0.5
1.0
9.5
