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MSP430G2x31
MSP430G2x21
SLAS694F
–
2010年2月
–
经修订的2011年4月
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低功耗模式下电源电流（输入v
CC
）不包括外部电流
在推荐的电源电压和工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明）
(1)
参数
测试条件
f
MCLK
= 0兆赫，
f
SMCLK
= f
DCO
= 1 MHz时，
f
ACLK
= 32768赫兹，
BCSCTL1 = CALBC1_1MHZ ，
DCOCTL = CALDCO_1MHZ ，
CPUOFF = 1， SCG0 = 0， SCG1 = 0，
OSCOFF = 0
f
MCLK
= f
SMCLK
= 0兆赫，
f
DCO
= 1 MHz时，
f
ACLK
= 32768赫兹，
BCSCTL1 = CALBC1_1MHZ ，
DCOCTL = CALDCO_1MHZ ，
CPUOFF = 1， SCG0 = 0， SCG1 = 1，
OSCOFF = 0
f
DCO
= f
MCLK
= f
SMCLK
= 0兆赫，
f
ACLK
= 32768赫兹，
CPUOFF = 1， SCG0 = 1， SCG1 = 1，
OSCOFF = 0
f
DCO
= f
MCLK
= f
SMCLK
= 0兆赫，
f
ACLK
从内部低频振荡器（ VLO ）
CPUOFF = 1， SCG0 = 1， SCG1 = 1，
OSCOFF = 0
f
DCO
= f
MCLK
= f
SMCLK
= 0兆赫，
f
ACLK
= 0赫兹，
CPUOFF = 1， SCG0 = 1， SCG1 = 1，
OSCOFF = 1
T
A
V
CC
民
(2)
典型值
最大
单位
I
LPM0,1MHz
低功耗模式0
（ LPM0 ）电流
(3)
25°C
2.2 V
65
A
I
LPM2
低功耗模式2
（ LPM2 ）电流
(4)
25°C
2.2 V
22
A
I
LPM3,LFXT1
低功耗模式3
（ LPM3 ）电流
(4)
25°C
2.2 V
0.7
1.5
A
I
LPM3,VLO
低功耗模式3
目前， （ LPM3 ）
(4)
25°C
25°C
85°C
2.2 V
2.2 V
2.2 V
0.5
0.1
0.8
0.7
0.5
1.5
A
A
A
I
LPM4
低功耗模式4
（ LPM4 ）电流
(5)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
所有的输入连接到0 V或V
CC
。输出不供应或吸收任何电流。
电流的特点与微晶CC4V - T1A SMD晶体9 pF电容的负载电容。
目前用于欠压和WDT由SMCLK时钟包括在内。
目前用于欠压和WDT由ACLK时钟包括在内。
目前用于欠压包括在内。
典型特性低功耗模式下电源电流
在推荐的电源电压和工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明）
3.00
2.75
2.50
I
LPM3
- 低功耗模式下电流 - μA
2.50
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
VCC = 3 V
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-40
-20
0
20
40
VCC = 1.8 V
VCC = 2.2 V
VCC = 3.6 V
I
LPM4
- 低功耗模式下电流 - μA
2.25
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-40
VCC = 1.8 V
-20
0
20
40
60
80
VCC = 3.6 V
VCC = 3 V
VCC = 2.2 V
60
80
T
A
- 温度 - °C
T
A
- 温度 - °C
图4. LPM3电流与温度
图5. LPM4电流与温度
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版权
2010-2011年，德州仪器
