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STL150N3LLH6
N沟道30 V ， 0.0016
,
33，一场PowerFLAT （引脚6x5 ）
的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET
特点
TYPE
STL150N3LLH6
V
DSS
30 V
R
DS （ ON）
最大
0.0024
I
D
33 A
(1)
1.该值在额定根据
THJ -PCB
■
■
■
■
■
R
DS （ ON）
* Q
g
行业标杆
非常低的导通电阻R
DS （ ON）
高雪崩坚固耐用
低栅极驱动功率损耗
极低的开关栅极电荷
PowerFLAT （引脚6x5 ）
应用
■
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
本产品采用了6
th
新一代设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则，
用新的门structure.The所得功率
MOSFET表现出低R
DS （ ON）
所有
包。
表1中。
设备简介
记号
150N3LLH6
包
PowerFLAT （引脚6x5 ）
包装
磁带和卷轴
订货编号
STL150N3LLH6
2009年9月
文档ID 15345第2版
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www.st.com
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