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1.5MHz的800毫安同步降压型稳压器低压差
数据表
TD6810
功能说明
在EA扩增fi er输出上升到高于睡眠门槛
信号突发比较器跳闸，打开顶部
MOSFET上。这个过程反复进行，其速率是
依赖于负载的需求。
主控制回路
该TD6810采用恒定频率，电流模式
降压架构。两个主（ P沟道
MOSFET）和同步（ N沟道MOSFET ）
开关内部。在正常操作期间，该
国内顶级功率MOSFET导通每个周期
当振荡器设置在RS锁存器，并关闭
当电流比较器， ICOMP ，复位RS
锁存器。峰值电感电流在该ICOMP复位
所述的RS锁存器，通过控制
误差放大器EA的输出。当负载电流
的增加，它会导致在反馈略有下降
电压，FB相对于0.6V基准，这反过来，
使EA扩增fi er的输出电压增加，直到
平均电感电流相匹配的新的负载
电流。而高端MOSFET关断时，底部
MOSFET导通，直到电感器电流
开始反转，由电流反向所指示
比较IRCMP ，或者在下一个时钟的开始
周期。
ShortCircuitProtection
当输出短路到地，频率
振荡器被降低到约400kHz的，四分之一的
标称频率。该频率折返确保
电感电流有更多的时间来衰减，从而
防止失控。振荡器的频率将
逐步增加至1.5MHz时， VFB或VOUT
高于0V 。
差操作
作为输入电源电压下降到一个值
接近输出电压时，占空比增加
向着导通时间的最大值。进一步降低的
电源电压迫使主开关保持开启
一个以上的周期，直到达到100 ％的占空比。
输出电压将随后由输入来确定
电压减去跨越P沟道上的电压降
MOSFET和电感器。
记住一个重要的细节是，在低输入
电源电压时，P沟道开关的RDS（ON）
增加（见典型性能特性） 。
因此，用户应计算功率
耗散当TD6810是用在100％占空比
具有低输入电压（请参阅散热注意事项
应用信息
部分） 。
突发模式工作
该TD6810能突发模式工作在其中
内部功率MOSFET间歇运行
根据负载的需求。
在突发模式操作，峰值电感电流
置的输出，以大致200毫安无论
负载。每个突发事件可以持续从在光几个周期
负载几乎连续短的睡眠循环
间隔适中的负荷。在这些突发的
事件中，功率MOSFET和任何不需要的电路
被关断，降低到20mA的静态电流。在
这种睡眠状态时，负载电流被供应仅
从输出电容器。当输出电压下垂，
2011年7月， 02 ，
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