L6919E
- 另外一个100nF的陶瓷电容，建议把靠近HS MOSFET的漏极。这有助于在reduc-
荷兰国际集团的噪声。
- 相位引脚尖峰。由于HS MOSFET开关在困难模式中，重尖峰电压可以观察
在PHASE引脚。如果这些电压尖峰克服销的最大击穿电压时，器件
能吸收能量，并能引起损害。电压尖峰，必须通过适当的布局的限制，该
利用栅极电阻，肖特基二极管并联的低侧MOSFET的和/或缓冲网络上的
低边MOSFET的值设置为低于26V ，为20nSec ，在600kHz的最大的FSW 。
s
电流检测连接。
远程缓冲区：
此组件的输入连接必须路由从FBG / FBR平行网
引脚到负载，以便补偿沿所述输出功率轨迹损失和还避免了拾取的
任何共模噪声。连接这些引脚点远离负荷时，将导致非最佳负载稳压
ulation ，增加输出能力。
当前阅读：
在RG电阻必须放置在尽可能靠近到ISENx和PGNDSx销
命令以限制噪声注入到器件中。 PCB走线连接这些电阻读数点
为了避免拾取任何共模噪声，必须被路由作为平行迹线。这一点也很重要
以避免在测量和获得更好的精度的任何偏移，以连接尽可能接近的痕迹
在感测元件，专用电流检测电阻或低侧MOSFET
DSON
.
此外，使用低侧MOSFET的R当
DSON
作为电流感应元件，该ISENx引脚实际上是CON-
已连接到PHASEx引脚。不要在一起，然后连接引脚连接到HS的源泉！
因为高边驱动器的返回所产生的噪声的设备将无法正常工作。在这种情况下
路线两个独立的网络：拥有广泛连接PHASEx引脚与HS源（与HGATEx在一起路线）
净（ 30密耳）和ISENx引脚与LS排水（含PGNDSx路线在一起） 。此外， PGNDSx销是
始终保持连接，通过RG电阻，以保护地线：不要直接连接到保护接地！在
这种情况下，设备将无法正常工作。路线反正到LS MOSFET的源极（带ISENx净在一起） 。
正确与错误的连接报告在图18中。
对称的布局也建议避免两相转换器之间的任何不平衡。
图18. PCB布线连接的网感
不正确
威盛GND平面
以相
连接
正确
为了LS漏
和源
为了HS门
和源
错（左）和正确的（右）连接的电流读数传感网。
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