L6919E
图10.软启动
V
CC
=V
CCDR
开启阈值
V
LGATEx
t
V
OUT
t
PGOOD
t
2048时钟周期
t
时序图
采集：
（CH1 = LGATEx ; CH 2 = VCC ; CH 3 = VOUT ;
输入电容
输入电容的设计主要考虑了输入RMS电流取决于占空比为
记载在图11，考虑到双相位拓扑结构中，输入电流有效值被高度还原的比较
用单相操作。
图11.输入RMS电流与占空比（ D）和驱动关系
RMS电流归（我
RMS
/I
OUT
)
0.50
单相
双相
0.25
我有效值
=
I
OUT
2D
(1
2D)
若D
＆ LT ;
0.5
2
I
OUT
(2D - 1)
(2
2D ）当D
＆ GT ;
0.5
2
0.25
0.50
0.75
占空比（ V
OUT
/V
IN
)
可以观察到，该输入均方根值是二分之一的单相等效输入电流在最坏
条件的情况下出现这种情况的D = 0.25， D = 0.75 。
由输入电容所消耗的功率就等于：
P
RM S
=
ESR
(
I
RM S
)
2
输入电容器的设计中，以维持所述波纹相对于最大负荷占空比。到达
需要由CPU供电的应用，也最大限度地减少组件成本的投入高RMS值
电容是由一个以上的物理电容器实现。等效RMS电流的简单总和
单个电容器的RMS电流。
输入大电容要高侧MOSFET的漏极之间平分，并放置在尽可能靠近
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