PD - 94788
IRF5305PbF
HEXFET
功率MOSFET
先进的工艺技术
动态的dv / dt额定值
175 ° C工作温度
快速开关
P沟道
全额定雪崩
LEAD -FREE
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处，
结合快速开关速度和加固
设备的设计，HEXFET功率MOSFET是很好
众所周知，为设计者提供了一个非常有效的
和可靠的装置，用于在各种各样的应用中使用。
在TO- 220封装普遍首选的所有
商业工业应用的功率耗散
水平到约50瓦。在低热阻
和TO- 220封装低的成本导致其广泛
接受整个行业。
D
V
DSS
= -55V
R
DS （ ON）
= 0.06
G
S
I
D
= -31A
TO-220AB
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ -10V
连续漏电流， V
GS
@ -10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3 srew
马克斯。
-31
-22
-110
110
0.71
± 20
280
-16
11
-5.0
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境
典型值。
–––
0.50
–––
马克斯。
1.4
–––
62
单位
° C / W
10/31/03
