TTL
回忆
系列54S / 74S
随机存取读/写存储器
公告NO 。 DL.S 7512257
,
1975年5月
64位（ 16个字BV 4位）
'S189
,
'S289
ADA
CE
读/写
D01
1
2
3
5
256位（ 256字BV 1位）
'S201. 'S301
ADA
CE1
CE3
1
3
5
1024位（ 1024字BV 1 BI
Tl
SN74S209
,
SN74S309
CE
1
U
丁 16
VCC
AD B
ADC
广告
DI4
D04
DI3
D03
15
14
13
12
11
10
9
AD B 2
CE2 4
DO 6
AD D 7
GND
8
U
16 VCC
15
14
13
12
11
10
9
AD
AD
DI
读/写
AD摹
指令AD F
AD ê
ADA 2
AD B 3
AD的C 4
AD D 5
公元6 ê
DO 7
GND 8
U
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
DI
R
/W
广告
公元1
AD
AD摹
指令AD F
DI 1 4
DI2 6
D02 7
GND 8
引脚分配所有的这些记忆是相同的所有软件包。
肖特基钳位高性能
全片解码和快速的芯片使能简化系统解码
PNP输入减少加载的系统缓冲器/驱动器
三态或集电极开路输出的选择
作者TVPE
BITSIZE
TVPICAL访问次数写CVCLE时间
输出（S ）
（组织）的片选地址SN54S “
SN74S'
3-State
64位
25纳秒
25纳秒
12纳秒
25纳秒
集电极开路
(16Wx4B)
3-State
256位
13纳秒
42纳秒
100纳秒
65纳秒
（ 256W ×1 B）
集电极开路
3-State
1024位
20纳秒
70纳秒
150纳秒
集电极开路
（ 1024W ×1 B）
回
TVPE NUMBER （包）
0
?? OC
至70℃
-55
0
C至125
0
C
SN54S189(J
,
W） SN74S189 （J
,
N)
SN54S289(J
,
W） SN74S289 （J
,
N)
SN54S201 （J
,
W） SN74S20
1(
J
,
N)
SN54S301 （J
,
W） SN74S301 （J
,
N)
SN74S209(J
,
N)
SN74S309(J
,
N)
描述
这些单片TTL记忆功能的肖特基钳位高性能
,
一个快速的芯片选择访问时间
提高了系统级解码
,
和“ S201和” S209 RAM的利用反相单元的存储器元件来实现
高密度。记忆功能PNP输入晶体管，以减少低Ievel输入电流的要求到
最大的-0.25毫安
,
只有八分之一，一个系列54S的
/7
4S标准的客座率。
三态输出版本和集电极开路输出版本，供各三个organizations_ A的
三态输出提供了一个集电极开路输出图腾柱输出速度的方便;它可以是
总线连接到其它相似的输出
,
但它保留了TTL图腾柱output_的快速上升时间特性
集电极开路输出可直接接口的能力，具有被动的上拉数据线。
写周期
要被存储在存储器中的信息被写入到所选择的地址（AD）的位置时，芯片使能
（ CE）
和读/写（R / W）的输入为低。而该读/写输入为低
,
存储器输出（多个） （是），关
（三态
=
高阻
,
集电极开路
=
高
l.
当一个数的输出是总线连接
,
这一关的状态既不负荷也
驱动数据总线;但
,
它允许总线被其他有源输出或一个passivc拉up_被驱动
读
cγcle
存储在存储器（见用于输入/输出的相位关系的函数表）的信息，可在输出端（多个）
当读/写输入为高电平并且芯片使能输入（或多个） （是） low_当一个（或多个）芯片使能输入是（是）
高
,
输出（ S）将被off_
T
172
E
问
钉
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