MDT2010(JG)
（D）的漏电流
@ V
dd
＝5.0
V，温度= 25
℃,
典型值如下：
I
il
I
ih
－
0.1μA （最大值）。
＋
0.1μA （最大值）。
（ E）休眠电流
@WDT
－
禁用，
Temperature＝25
℃,
典型值如下：
V
dd
＝2.3
V
V
dd
＝3.0
V
V
dd
＝4.0
V
V
dd
＝5.0
V
V
dd
＝6.0V
I
dd
＜0.1
A
I
dd
＜0.1
A
I
dd
＜0.1.A
I
dd
＜0.1
A
I
dd
＜0.1
A
@WDT
－
ENABLE ，
Temperature＝25
℃,
典型值如下：
V
dd
＝2.3
V
V
dd
＝3.0
V
V
dd
＝4.0
V
V
dd
＝5.0
V
V
dd
＝6.0
V
I
dd
＜1.0
A
I
dd
＝3.0
A
I
dd
＝8.0
A
I
dd
＝15.0
A
I
dd
＝25.0
A
（ F）工作电流
Temperature＝25
℃,
典型值如下：
（一） OSC类型= RC （ OSC1&OSC2内部盖子约10P ） ;
WDT使能;
该IC可能无法正常振荡，如果REXT的电阻小于4.7K 。
REXT的最小电阻必须大于4.7K 。
@ V
dd
＝5.0
V
CEXT 。 （ F）
REXT 。 （欧姆）
4.7 K
10.0 K
0P
47.0 K
100.0 K
300.0 K
470.0 K
频率（Hz）
11 M
5.2 M
1.37 M
650 K
220 K
140 K
电流（A ）
1.1毫安
650
A
250
A
175
A
135
A
130
A
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2006/4
VER1.1
