EN25QH16
表14. AC特性
(T
a
= - 40 ° C至85°C ; V
CC
= 2.7-3.6V)
符号
ALT
参数
串行时钟频率为：
FAST_READ ， PP ， SE ， BE ， DP ， RES ，雷恩，
WRDI ， WRSR
串行时钟频率为：
RDSR ， RDID ，双输出快速阅读和四
I / O快读
串行时钟频率为READ
串行时钟高电平时间
串行时钟低电平时间
串行时钟上升时间（转换率）
串行时钟下降时间（转换率）
t
CSS
CS ＃智能安装时间（相对于CLK ）
CS ＃活动保持时间（相对于CLK ）
CS ＃不主动建立时间（相对于CLK ）
CS ＃不主动保持时间（相对于CLK ）
CS ＃高时间读
CS ＃高时间编程/擦除
输出禁止时间
输出保持时间
数据建立时间
数据保持时间
HOLD ＃低建立时间（相对于CLK ）
HOLD ＃高的建立时间（相对于CLK ）
HOLD ＃低保持时间（相对于CLK ）
HOLD ＃高保持时间（相对于CLK ）
2
2
民
特区
特区
特区
4
4
0.1
0.1
5
5
5
5
15
50
-
0
2
5
5
5
5
5
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
104
80
50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
单位
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
V / ns的
V / ns的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
F
R
f
C
f
R
t
通道1
t
CL1
t
CLCH2
t
CHCl 3 2
t
SLCH
t
CHSH
t
SHCH
t
CHSL
t
SHSL
t
SHQZ 2
t
CLQX
t
DVCH
t
CHDX
t
HLCH
t
HHCH
t
CHHH
t
CHHL
t
HLQZ
t
HHQX
t
CLQV
t
WHSL3
t
SHWL3
t
DP 2
t
RES1 2
t
RES2 2
t
W
t
PP
t
SE
t
BE
t
CE
t
SR
t
HZ
t
LZ
t
V
t
CSH
t
DIS
t
HO
t
DSU
t
DH
HOLD ＃低到输出高阻态
HOLD ＃高至低阻抗输出
输出有效从CLK
写CS ＃低保护之前建立时间
写保护CS ＃高后保持时间
CS ＃高到深度掉电模式
CS ＃高到待机模式，而不电子
签名读
CS ＃高到待机模式带有电子
签名读
写状态寄存器周期时间
页编程时间
扇区擦除时间
块擦除时间
-
20
100
-
-
-
-
-
-
-
-
WIP =写操作
WIP =不写操作
-
-
-
-
-
-
-
-
15
1.3
0.06
0.4
12
-
-
6
6
8
-
-
3
3
1.8
50
5
0.3
2
30
28
0
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
s
ms
ms
s
s
s
s
s
芯片
擦除时间
软件复位
潜伏期
注意：
1.
t
CH
+
t
CL
必须大于或等于1 /
f
C
2.价值由特性保证，而不是100 ％生产测试。
3.仅适用于作为一个写状态寄存器指令时，状态寄存器的保护位设置为1的约束。
该数据表可以通过后续的版本中修改
2004宙硅解决方案公司，
51
或修改，由于改变的技术规格。
我牧师，发表日期： 2012/06/01
www.eonssi.com
