EN25QH16
芯片擦除（ CE ） （ C7H / 60H ）
芯片擦除（ CE）指令集所有位为1 （ FFH ） 。才可以被接受，一个写使能
（ WREN）指令必须先前已被执行死刑。写使能（ WREN）指令后
已经被解码，设备设置写使能锁存（ WEL ） 。
芯片擦除（CE）的指令通过驱动片选（CS ＃ ）低输入，接下来是指令
在串行数据输入（ DI ）的代码。片选信号（ CS ＃ ）必须被驱动为低电平的整个持续时间
序列。
该指令序列示于图20片选（CS ＃ ）第八后必须驱动高
指令码位被锁定在，否则不执行芯片擦除指令。如
一旦芯片选择（ CS ＃ ）驱动为高电平，自定时芯片擦除周期（其持续时间TCE）是
发起。而芯片擦除周期正在进行中，状态寄存器可以读检查的价值
的写在制品（WIP ）位。写在制品（WIP ）位的自定时芯片擦除期间为1
周期，并且是0时，它被完成。在周期结束前的一些不确定的时间，写
使能锁存器（ WEL ）位复位。
芯片擦除（ CE ）指令只有当所有块保护（ BP3 ， BP2 ， BP1 ， BP0 ）位为0 。
如果一个芯片擦除（ CE），指令将被忽略，或者多个块被保护。
该指令序列，而使用Enable四路外设接口模式，如图20.1
（ EQPI ）（ 38H ）命令。
图20.芯片擦除指令序列图
该数据表可以通过后续的版本中修改
2004宙硅解决方案公司，
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或修改，由于改变的技术规格。
我牧师，发表日期： 2012/06/01
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