恩智浦半导体
PESD5V0L1BSF
双向低电容ESD保护二极管
6.特性
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
RWM
I
RM
V
CL
V
BR
C
d
反向隔离
电压
反向漏
当前
钳位电压
击穿电压
二极管电容
V
RWM
= 5 V
I
PP
= 1 A
I
PP
= 3 A
I
R
= 1毫安
I
R
=
1
mA
F = 1 MHz的
V
R
= 0 V
V
R
= 2.5 V
V
R
= 5 V
L
S
R
DYN
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[1][2]
[1][2]
[3]
[3]
[4]
参数
条件
民
5
-
-
-
6
10
9
-
-
[5]
[6]
典型值
-
1
-
-
-
-
12
8.9
8
0.05
1
最大
5
100
11.5
13.5
10
6
15.4
11.4
10.2
-
-
单位
V
nA
V
V
V
V
pF
pF
pF
nH
Ω
串联电感
动态电阻
-
-
非重复性电流脉冲8/20
μs
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形;
SEE
图1 。
从测量引脚1到引脚2 。
击穿电压总是被表征的范围内，这意味着在没有区别内对称
从1脚击穿电压引脚2 ，反之亦然。
此参数为设计保证。
从S参数值来计算。
非重复性电流脉冲，传输线路脉冲（ TLP ）T
p
= 100纳秒;方波脉冲;
ANS / IESD STM5.1-2008 。
PESD5V0L1BSF
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第1版 - 2011年2月18日
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