HYS72D[32/64/128]3[00/20]GBR
录得双数据速率SDRAM模块
电气特性
表11
I
DD
特定网络阳离子
HYS72D128320GBR-7-B
HYS72D32300GBR-7-B
HYS72D64300GBR-7-B
HYS72D64320GBR-7-B
单位
注/测试
条件
5)
产品类型&组织
256 MB
×72
1级
–7
典型值。
马克斯。
1488
1578
448
736
601
538
871
1623
1713
2208
399
2613
1263
1398
426
691
556
511
826
1443
1533
1803
390
2128
512 MB
×72
1级
–7
典型值。
1938
2208
475
1006
736
646
1276
2298
2478
3018
403
3668
马克斯。
2388
2568
520
1096
826
700
1366
2658
2838
3828
421
4638
512 MB
×72
2点
–7
典型值。
1713
1848
475
1006
736
646
1276
1893
1983
2253
403
2578
马克斯。
1983
2073
520
1096
826
700
1366
2118
2208
2703
421
3108
1 GB
×72
2点
–7
典型值。
2838
3108
574
1636
1096
916
2176
3198
3378
3918
430
4568
马克斯。
3378
3558
664
1816
1276
1024
2356
3648
3828
4818
466
5628
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
1)4)
1)3)4)
2)4)
2)4)
2)4)
2)4)
2)4)
1)3)4)
1)4)
1)4)
2)4)
1)3)4)5)
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2F
I
DD2Q
I
DD3P
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
I
DD6
I
DD7
1）该模块
I
DD
值被从该组件计算
I
DD
数据表中的值是：
n
*
I
DD
× [成分]
对于单一银行模块（ N：每个模块库元件数量）
n
*
I
DD
× [成分]
+
n
*
I
DD3N
[成分]两银行模块（ N：每个模块库元件数量）
2）模块
I
DD
值被从该组件计算
I
DD
数据表中的值是：
n
*
I
DD
× [成分]
对于单一银行模块（ N：每个模块库元件数量）
2
*
n
*
I
DD
× [成分]
单两张银行模块（ N：每个模块库元件数量）
3 ） DQ I / O（
I
DDQ
）电流不纳入计算：模块
I
DD
值将被测量的不同，具体取决于负载
条件
4 ）模块
I
DD
计算组件的基础上
I
DD
包括寄存器和PLL
5 ）为最大值测试条件：
V
DD
= 2.7 V,
T
A
= 10 °C
数据表
22
修订版1.1 ， 2004-04
10102003-01E2-HPA8
