恩智浦半导体
PBLS4002D
40 V PNP BISS loadswitch
10
3
Z
号（j -a）的
（K / W）
δ
= 1
0.75
0.5
10
2
0.33
0.2
0.1
0.05
10
0.02
0.01
0
1
10
5
006aaa464
10
4
10
3
10
2
10
1
1
10
10
2
t
p
(s)
10
3
陶瓷电路板，铝
2
O
3
，标准的足迹
图4 。
TR1 （ PNP ） ：从结点到环境作为脉冲持续时间的函数的瞬态热阻抗;典型
值
7.特点
表7中。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
条件
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0 A
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
CE
=
30
V; V
BE
= 0 V
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
V
CESAT
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
=
100
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
1
A;我
B
=
100
mA
R
CESAT
V
BESAT
V
BEON
集电极 - 发射极
饱和电阻
基射
饱和电压
基射
导通电压
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
1
A;我
B
=
50
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
[1]
民
-
-
-
-
300
300
215
150
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
80
120
220
240
-
-
最大
0.1
50
0.1
0.1
-
800
-
-
140
170
310
340
1.1
1
单位
A
A
A
A
TR1 ; PNP低V
CESAT
晶体管
I
CES
I
EBO
h
FE
mV
mV
mV
m
V
V
[1]
[1]
PBLS4002D_3
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产品数据表
牧师03 - 2009年1月5日
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