FGP30B通FGP30D
威世半导体
100
1000
T
j
= 175 °C
10
T
j
= 150 °C
T
j
= 125 °C
1
T
j
= 25 °C
正向电流（A ）
结电容（pF ）
1,2
100
10
0,1
0,01
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1
0,1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性
图5.典型结电容
瞬时反向漏电流（ μA ）
100
100
10
T
j
= 150 °C
T
j
= 125 °C
1
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
100
T
j
= 175 °C
10
0,1
0,01
T
j
= 25 °C
0,001
20
40
60
80
1
0,01
0,1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
TP-脉冲持续时间（秒）
图4.典型的反向漏电特性
图6.典型的瞬态热阻抗
（英寸）封装外形尺寸（毫米）
DO- 204AC （DO- 15）的
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
0.300 (7.6)
0.230 (5.8)
0.140 (3.6)
0.104 (2.6)
DIA 。
1.0 (25.4)
分钟。
文档编号88878
10-Aug-05
www.vishay.com
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