恩智浦半导体
PESDxL4UF/G/W
低电容单向四倍的ESD保护二极管阵列
表6 。
极限值
- 续
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
I
ZSM
参数
条件
民
最大
单位
非重复性峰值反向方波;
当前
t
p
= 1毫秒
PESD3V3L4UF
PESD3V3L4UG
PESD3V3L4UW
PESD5V0L4UF
PESD5V0L4UG
PESD5V0L4UW
P
ZSM
每个器件
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
-
0.9
A
-
0.8
A
非重复性峰值反向方波;
功耗
t
p
= 1毫秒
结温
环境温度
储存温度
-
6
W
-
65
65
150
+150
+150
°C
°C
°C
非重复性电流脉冲8/20
s
根据IEC 61000-4-5指数衰减波形。
对于PESDxL4UF从针1 ，3，4或6测量到销2或5 。
对于PESDxL4UG和PESDxL4UW从引脚1 ， 3 ， 4或5个测到引脚2 。
表7中。
ESD最大额定值
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
ESD
静电放电电压
IEC 61000-4-2
（接触放电）
MIL -STD- 883 （人
人体模型）
[1]
[2]
[3]
强调设备与十个非重复的ESD脉冲。
对于PESDxL4UF从针1 ，3，4或6测量到销2或5 。
对于PESDxL4UG和PESDxL4UW从引脚1 ， 3 ， 4或5个测到引脚2 。
[1][2][3]
参数
条件
民
-
-
最大
20
10
单位
kV
kV
表8 。
标准
每二极管
ESD标准符合性
条件
> 15千伏（空气） ; > 8千伏（接触）
＆ GT ; 4千伏
IEC 61000-4-2 ; 4级（ ESD ）
MIL -STD- 883 ;第3类（人体模型）
PESDXL4UF_G_W_4
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产品数据表
牧师04 - 2008年2月28日
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