恩智浦半导体
PESDxL4UF/G/W
低电容单向四倍的ESD保护二极管阵列
2.45
2.10
1.60
0.15
(2x)
0.70
(2
×
)
2.00 1.70 1.00
0.45
(2
×
)
0.30
0.375
(2
×
)
0.40
(5
×
)
0.55
1.25
1.375
1.20
2.20
焊区
安置区
占领区
0.075
阻焊
尺寸（mm）
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
图16.重新溢流焊接足迹PESDxL4UW （ SOT665 ）
PESDXL4UF_G_W_4
NXP B.V. 2008保留所有权利。
产品数据表
牧师04 - 2008年2月28日
14 17
