8XC251SA / SB / SP /平方米高性能CHMOS单片机
5.0
电气特性
注意：
本文件包含的初步
对新产品的生产信息。该
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
验证与您当地的英特尔销售办事处，你
最后敲定之前，有最新的数据表
设计。
绝对最大额定值
存储温度................................... -65C至+ 150C
在EA ＃ / V的电压
PP
引脚到V
SS
......................... 0 V至13.0 V
在任何其他引脚到V电压
SS
..................... -0.5 V至6.5 V
I
OL
每个I / O引脚............................................. .................... 15毫安
功耗................................................ .......... 1.5瓦
V
SS
..................................................................................... 0 V
警告：
强调超越设备
“绝对最大额定值”，可能会导致perma-
新界东北的伤害。这些压力额定值只。能操作
T
A
（环境温度下偏置） ：
商业................................................. 0 ° C至+ 70°C
ATION超越“工作条件”是不是
快速................................................. ... -40 ° C至+ 85°C
超出推荐和长期暴露
“工作条件”可能会影响设备
V
CC
（数字电源电压） .............................. 4.5 V至5.5 V
可靠性。
工作条件
记
最大功耗为
基于封装的热传递
的限制，而不是设备的功率
消费。
初步
15
