PFM21030
推荐无源偏置电路
这个示意图展示了应用意识FET的内部使用被动组件的方法
外部电路。该电路保持恒定的电流通过感应场效应管，独立的
温度的模具。感FET被配置为在该情况下的二极管。随温度的变化
二极管的Vf的的非常相似的是，RF FET的栅极电压，因此，静态电流
几乎保持恒定在很宽的温度范围内。该电路的优点是它的简单性和
稳定性（避免运算放大器），所有的布局条件下。该电路的主要限制
是，静态电流必须为每个单独的模块来调整（它们不容易预先设定
精度）。
+10
+20 V
门
GND
+27 V
J1
8
7
6
5
4
3
2
1
注：典型Q1二极管偏置= 1.4 MA（ VG1 3.96V ）
典型Q2二极管偏压= 2.7毫安（ VG2 4.21V ）
（基于04年6月4日测量）
C29
C28
C27
S1
C12 C11 C10
R6
S2
R5
C24
C22
C20
C23
C21
C19
C18
C17 C16
排水1
C15
R2
C9
C8
C7
R3
RF
输入
C2
RF
OUT
RF
OUT
C1
PFM21030
感觉D2
门2
D1感
在RF
C4
C3
C5
R1
C6
分页： 13 7
规格如有变更，恕不另行通知。美国专利No.6,822,321
http://www.cree.com/
第2版
