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OPA333
OPA2333
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SBOS351 - 2006年3月
R
G
齐纳
(1)
R
分流
R
1
10k
(2)
V+
OPA333
MOSFET的额定
对峙电源电压
如BSS84的
高达50V 。
V+
+5V
齐纳二
偏置方法
示。
(3)
产量
负载
R
BIAS
R
L
注意事项：
（1）齐纳二极管的额定运算放大器供给能力（即， 5.1V为OPA333 ） 。
（2）限流电阻。
（ 3 ）选择齐纳二极管偏置电阻或双NMOS场效应管（ FDG6301N ， NTJD4001N ，或Si1034 ）
图6.高边电流监视器
V
1
In
100k
INA152
OPA333
R
2
2
5
1M
60k
3V
1M
NTC
热敏电阻
R
1
OPA333
6
R
2
3
1
V
O
V
2
+ IN
OPA333
V
O
= (1 + 2R
2
/R
1
) (V
2
V
1
)
图7.热敏电阻测量
图8.精密仪表放大器
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