先进的技术信息
HiPerRF
TM
功率MOSFET
F级：兆赫切换
N沟道增强模式
额定雪崩，
低Q
g
，低的固有
g
高dv / dt ，
LOW吨
rr
IXFH 12N50F
V
DSS
IXFT 12N50F
I
D25
R
DS （ ON）
= 500 V
= 12 A
= 0.4
W
t
rr
250纳秒
AD TO- 247 （ IXFH ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）
安装力矩
TO-264
TO-247
TO-264
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±20
±30
12
48
12
20
300
5
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
G
（ TAB ）
TO-268
（ IXFT ）
机箱样式
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
G =门，
S =源，
（ TAB ）
S
D =排水，
TAB =漏
0.4 / 6牛米/ lb.in 。
6
4
g
g
特点
l
射频MOSFET的能力
l
双金属工艺的低门
阻力
l
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
l
坚固的多晶硅栅单元结构
l
非钳位感应开关（ UIS）
评级
l
低封装电感
- 易于驾驶和保护
l
快速内在整流器
应用
l
DC- DC转换器
l
开关模式和谐振模
电源，开关>500kHz
l
直流斩波器
l
13.5 MHz的工业应用
l
脉冲产生
l
激光驱动器
l
射频放大器
优势
节省空间
l
高功率密度
l
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
500
3.0
V
5.0 V
±100
nA
50
mA
1毫安
0.4
W
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250uA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安
V
GS
=
±20
V, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
注1
T
J
= 125°C
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98737 (07/00)
