NTMD5838NL
功率MOSFET
特点
40 V ， 8.9 A， 25毫瓦，双N沟道SO- 8
低R
DS （ ON）
低电容
优化的栅极电荷
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
连续漏极
当前
qJA
（注1 ）
功耗
R
qJA
（注1 ）
脉冲漏
当前
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
t
≤10
s
T
A
= 70°C
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
t
p
= 10
ms
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
EAS
IAS
T
L
P
D
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
40
±20
7.4
5.9
2.1
1.3
8.9
7.1
3.0
1.9
35
55
to
+150
7.0
20
21
260
A
°C
A
mJ
A
°C
A
Y
WW
G
W
A
S
S
W
G
G
单位
V
V
A
N沟道MOSFET
D
D
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
40 V
R
DS （ ON）
最大
25毫瓦@ 10 V
30.8毫瓦@ 4.5 V
I
D
最大
8.9 A
标记图/
引脚分配
D1 D1 D2 D2
8
SO8
CASE 751
风格11
D5838N
AYWW
G
工作结存储
温度
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（ L = 0.1 MH）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
1
S1 G1 S2 G2
（ TOP VIEW ）
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
（注：微球可在任一位置）
热阻最大额定值
参数
结至环境稳态
（注1 & 3 ）
结到环境
t
≤10
S（注1 ）
结至环境稳态（注2 ）
符号
R
qJA
R
qJA
R
qJA
价值
58
40
106
° C / W
单位
订购信息
设备
NTMD5838NLR2G
包
航运
SO8
2500 /磁带&卷轴
（无铅）
1.表面安装上使用1平方-在垫FR4板
（铜面积=在平[ 2盎司]包括痕迹1.127 ） 。
2.表面安装使用在平方0.155的FR4基板（100mm，所
2
）焊盘尺寸。
3.这两种渠道获得等效功率耗散
1 W应用在每个通道上：T已
J
= 2 W * 58 ° C / W + 25℃ = 141℃
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年4月
第0版
1
出版订单号：
NTMD5838NL/D
