NTJD4401N
小信号MOSFET
20 V ，双N沟道， SC- 88
ESD保护
特点
占地面积小（ 2 ×2mm的）
低门电荷的N沟道器件
ESD保护门
相同的封装SC- 70 （ 6引线）
无铅包可用
负载功率开关
锂离子电池供电设备
手机，媒体播放器，数码相机，掌上电脑
DC- DC转换器
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
R
DS （ ON）
典型值
0.22
W
@ 4.5 V
20 V
0.32
W
@ 2.5 V
0.51
W
@ 1.8 V
0.775 A
I
D
最大
应用
SC- 88 （ SOT- 363 ）
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
当前
（基于R
qJA
)
功耗
（基于R
qJA
)
连续漏极
当前
（基于R
qJL
)
功耗
（基于R
qJL
)
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
稳定
状态
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
t
≤10
ms
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
I
S
T
L
I
D
P
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
20
±12
0.63
0.46
0.27
0.14
0.91
0.65
0.55
0.29
±1.2
-55
150
0.63
260
A
W
A
W
单位
V
V
A
S
1
1
6
D
1
G
1
2
5
G
2
D
2
3
4
S
2
顶视图
标记图&
引脚分配
D1 G2 S2
6
TD M
G
G
1
S1 G1 D2
TD
M
G
=器件代码
=日期代码
= Pb-Free包装
工作结温和存储温度
连续源电流（体二极管）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
°
C
A
°C
1
SC-88/SOT-363
CASE 419B
28风格
热电阻额定值
（注1 ）
参数
结 - 环境 - 稳态
结到铅（漏） - 稳态
符号
R
qJA
R
qJL
典型值
400
194
最大
460
226
单位
° C / W
（注：微球可在任一位置）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1盎司铜面积=在平0.9523 。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第4页。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
1
2008年1月 - 第4版
出版订单号：
NTJD4401N/D
