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NT256D64S88AAG
256MB ： 32M ×64
PC2100 / PC1600无缓冲DIMM
用于对模块AC时序规范的DDR SDRAM器件
（ TA = 0 ° C 70 °C， V
DDQ
= 2.5V ± 0.2V; V
DD
= 2.5V ± 0.2V ，见AC特性）
（ 2/2 ）
符号
t
IPW
t
RPRE
t
RPST
t
RAS
t
RC
参数
输入脉冲宽度
阅读序言
阅读后同步
至预充电命令
要积极主动/自动刷新
指令周期
自动刷新主动/自动刷新
指令周期
ACTIVE读取或写入延迟
主动阅读与命令
自动预充电
预充电命令期
活跃银行A到有效的银行B
命令
写恢复时间
-7K
分钟。
2.2
0.9
0.40
45
65
1.1
0.60
120,000
马克斯。
分钟。
2.2
0.9
0.40
45
65
1.1
0.60
120,000
0.9
0.40
50
70
-75B
马克斯。
分钟。
-8B
马克斯。
-
1.1
0.60
120,000
单位
ns
t
CK
t
CK
ns
ns
笔记
2-4, 12
1-4
1-4
1-4
1-4
t
RFC
t
RCD
t
RAP
t
RP
t
RRD
t
WR
75
20
20
20
15
15
(t
WR
/
t
CK
)
+
(t
RP
/
t
CK
)
75
20
20
20
15
15
(t
WR
/
t
CK
)
+
(t
RP
/
t
CK
)
1
75
200
7.8
7.8
80
20
20
20
15
15
(t
WR
/
t
CK
)
+
(t
RP
/
t
CK
)
1
80
200
7.8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
1-4
t
DAL
自动预充电写恢复+
预充电时间
t
CK
1-4, 13
t
WTR
t
XSNR
t
XSRD
t
REFI
内部写读命令延迟
退出自刷新非读
命令
退出自刷新读取命令
平均周期刷新间隔
1
75
200
t
CK
ns
t
CK
s
1-4
1-4
1-4
1-4, 8
版本1.1
08/2002
12
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南亚科技股份有限公司。
