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NP80N04MDG ， NP80N04NDG ， NP80N04PDG
封装图（单位：mm ）
TO- 220 （ MP -25K ）
φ
3.8±0.2
TO- 262 （ MP- 25SK ）
4.45±0.2
1.3±0.2
1.2±0.3
10.0±0.2
2.8±0.3
10.0±0.2
4.45±0.2
1.3±0.2
10.1±0.3
15.9 MAX 。
6.3±0.3
4
1
3.1±0.2
13.7±0.3
4
1
13.7±0.3
2
3
1.27±0.2
0.8±0.1
1.27±0.2
0.8±0.1
3.1±0.3
2
3
8.9±0.2
0.5±0.2
2.54 TYP 。
2.54 TYP 。
2.5±0.2
0.5±0.2
2.54 TYP 。
2.54 TYP 。
2.5±0.2
1.门
2.漏
3.源
4.散热片（漏）
1.门
2.漏
3.源
4.散热片（漏）
TO- 263 （ MP- 25ZP ）
1.35 ±0.3
等效电路
漏
4.45 ±0.2
1.3 ±0.2
无电镀
10.0 ±0.3
7.88 MIN 。
4
8.0 TYP 。
门
9.15 ±0.3
15.25 ±0.5
0.025
0.25
体
二极管
0.5
来源
2.54
1 2
3
2.5
1.门
2.漏
3.源
4.散热片（漏）
备注
强电场，当暴露于该装置中，可引起栅氧化层的破坏，并最终
影响设备的运行。因此必须采取措施来停止产生静电之多
可能，并迅速消散了一次，已经发生时。
8
数据表D19795EJ1V0DS
2.54 ±0.25
0.75 ±0.2
0.6 ±0
.2
0-8
0.25
