数据表
MOS场效应
NP80N04NUG ， NP80N04PUG
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该NP80N04NUG和NP80N04PUG是N沟道MOS场效应设计用于高电流晶体管
开关应用。
订购信息
产品型号
NP80N04NUG-S18-AY
NP80N04PUG-E1B-AY
NP80N04PUG-E2B-AY
记
铅电镀
填料
管
包
TO- 262 （ MP - 25SK ） （典型值） 。 1.8克
记
记
纯Sn （锡）
50 P /管
TAPE
1000 P /卷
TO- 263 （ MP - 25ZP ） （典型值） 。 1.5克
记
无铅（此产品不包含铅，在外部电极）。
特点
非逻辑电平
超低导通电阻
- NP80N04NUG
R
DS （ ON）
= 4.8 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A)
- NP80N04PUG
R
DS （ ON）
= 4.5 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 40 A)
高额定电流
I
D（ DC）的
=
±80
A
低输入电容
C
国际空间站
= 4900 pF的典型。
专为汽车应用和AEC- Q101标准
(TO-262)
(TO-263)
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一号文件D19799EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2009年NS五月
日本印刷
2009
