初步
数据表
NP60N055MUK ， NP60N055NUK
MOS场效应
描述
R07DS0598EJ0100
Rev.1.00
2012年1月11日
这些产品是N沟道MOS场效应设计用于高电流开关应用晶体管。
特点
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 6.0 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A)
低C
国际空间站
: C
国际空间站
= 2500 pF的典型。 （V
DS
= 25 V)
专为汽车应用和AEC- Q101标准
订购信息
产品型号
NP60N055MUK-S18-AY
*
1
NP60N055NUK-S18-AY
注意：
*
1
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
管50的P /管
包
TO- 220 （ MP -25K ）
TO- 262 （ MP- 25SK ）
*1
无铅（此产品不包含铅，在外部电极）
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
项
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
*
1
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
重复性雪崩电流
*
2
重复性雪崩能量
*
2
符号
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
I
AR
E
AR
评级
55
20
60
240
105
1.8
175
-55至175
25
63
单位
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
注意事项：
*1
T
C
= 25 ° C，P
W
10
s,
占空比
1%
*2
R
G
= 25
,
V
GS
= 20
0 V
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
1.43
83.3
° C / W
° C / W
R07DS0598EJ0100 Rev.1.00
2012年1月11日
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