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NP23N06YDG
章标题
封装图（单位：mm ）
8引脚HSON （质量： 0.13克TYP 。 ）
1.27
1
2
3
4
0.42
0.05
+0.1
8
7
6
5
6.0
±0.2
5.4
±0.2
0.10 S
5.15
±0.2
5.0
±0.2
0.42
±0.05
1.45 MAX 。
0.10 M
0
+0.05
0
0.73
0.4
3.8
±0.2
1 ，2，3 ：源
4
：门
5 ，6，7 ，8：漏
3.18
±0.2
0.6
±0.15
0.8
±0.15
等效电路
漏
门
体
二极管
来源
备注
强电场，当暴露于该装置中，可引起破坏栅氧化物和
从而影响设备的运行。因此必须采取措施，以阻止生成静态
电力尽可能地，立即释放一次出现时。
R07DS0014EJ0100 Rev.1.00
2010年7月1日
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