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PreliminaryData
片
NESG340034
NPN硅锗RF晶体管
描述
该NESG340034是低噪声，低失真放大的理想选择。
R09DS0023EJ0200
Rev.2.00
2011年8月18日
特点
NF = 0.65 dB典型值。 @ V
CE
= 5 V，I
C
= 15 mA时， F = 1 GHz的
P
O（1 dB为单位）
= 24 dBm的典型。 @ V
CE
= 5 V，I
C（套）
= 40 mA时， F = 1 GHz的
OIP
3
= 35.5 dBm的典型。 @ V
CE
= 5 V，I
C（套）
= 40 mA时， F = 1 GHz的
最大稳定功率增益：味精= 12.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 5 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的
的SiGe HBT技术（ UHS3 ） ：F
T
= 10 GHz的
本产品是改进的ESD
3 - pin电源MINIMOLD （ 34 PKG ）
应用
适合于高达1GHz的应用程序。
例如LNA （低噪声
mplifier ）或前置放大器
数字电视。
概要
瑞萨封装代码： 34
（包名称： 3 - pin电源minimold （ 34 PKG ） ）
1.发射器
2.收集
3. BASE
注：标记为"ST"
订购信息
产品型号
NESG340034
NESG340034-T1
订单号
NESG340034-A
NESG340034-T1-A
包
3 - pin电源
Minimold
（ 34 PKG ）
（无铅）
QUANTITY
25个
（无卷）
1千件/卷
供给方式
杂志案
压纹带12mm宽
磁带的引脚2面侧穿孔
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为25个。
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
R09DS0023EJ0200 Rev.2.00
2011年8月18日
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