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PIC24FXXKAXXX
3.3
3.3.1
进入ICSP模式
低电压ICSP ENTRY
如图3-4所示，以下的处理是
通过参与进入ICSP编程/校验模式
MCLR ：
1.
2.
3.
MCLR短暂地驱动为高电平，然后为低电平。
一个32位的密钥序列移入PGDx引脚。
然后将MCLR驱动为高电平中的指定
一段时间和保持。
至少P19和P7的间隔之前必须经过
呈现在PGDx引脚的数据。出现在PGCx信号
前P7经过将不被解释为
有效的。
3.3.2
高电压ICSP ENTRY
编程电压V
IH是
适用于MCLR ;这
为V
DD
在PIC24FXXKAXXX装置的情况。那里
为保持在V没有最低时间要求
IH
.
经过V
IH
被除去，至少P18必备的间隔
密钥序列上PGDx引脚前经过。
密钥序列是一个特定的32位图案：
‘0100
1101 0100 0011 0100 1000 0101
0001‘
（更容易记住的4D434851h中
十六进制）。该器件将进入编程/校验
模式仅当序列是有效的。最重要
最显著半字节的位（ MSB）必须被转移
科幻RST 。
一旦密钥序列是完整的，V
IH
必须是
加到MCLR并保持在这一水平，只要
在编程/校验模式将被保留。一
进入ICSP编程/校验模式，采用了V
PP
销是一样的输入用的MCLR的模式。该
唯一的区别是，编程电压施加到
V
PP
为V
IHH
和之前介绍的按键顺序
上PGDx引脚，至少P18应经过的时间间隔（见
图3-5 ） 。
一旦密钥序列是完整的，在一个时间间隔
至少P7应经过，电压应保持
在V
IHH
。的电压V
IHH
必须在该级别为举行
只要在编程/校验模式是要main-
tained 。至少P7的间隔之前，必须经过
呈现在PGDx引脚的数据。
出现在PGDx引脚P7前的信号经过意志
不被解释为有效。
一旦成功进入，程序存储器可
访问，并以串行方式进行编程。而在
ICSP模式下，所有未使用的I / O被放置在一个
高阻抗状态。
图3-4：
P6
进入ICSP 模式下使用低电压ENTRY
P14
P19
V
IH
V
IH
P7
MCLR
V
DD
编程/校验输入代码= 4D434851h
PGDx引脚
PGCX
P18
P1A
P1B
0
b31
1
b30
0
b29
0
b28
1
b27
...
0
b3
0
b2
0
b1
1
b0
图3-5：
P6
V
PP
V
DD
进入ICSP 模式使用高压ENTRY
P7
V
IHH
V
IH
编程/校验输入代码= 4D434851h
PGDx引脚
PGCX
P18
P1A
P1B
0
b31
1
b30
0
b29
0
b28
1
b27
...
0
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0
b2
0
b1
1
b0
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2008 Microchip的技术公司
