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NCP5389
RFB总是被设置为1.0千瓦和RFB1通常被设置为
100
W
最大相位提升。 RF的值是
通常设置为4.0千瓦。
下垂注射及温度补偿
该VDRP信号由求和所感测的生成
输出电流的各相和施加的增益
大约六。 VDRP外部归纳成
由电阻器的RDRP反馈网络。这引起了
偏移量成比例的输出电流，从而
迫使可控阻力的输出阻抗。
RRDP确定由目标输出阻抗
基本公式：
VOUT
+
ZOUT
+
RFB · DCR · 5.94
IOUT
RDRP
RFB · DCR · 5.94
RDRP
+
ZOUT
（当量。
10)
电感的DCR的值随温度变化
根据下面的等式10：
DCRTmax
+
DCR25C · （ 1
)
0.00393 · C
1
（ TTmax
25
· C))
（当量11）的
该系统可以热补偿以取消此
通过添加一个NTC实现了在很大的程度（负
在RFB并联温度系数电阻）
减少下垂增益随着温度的增加而增加。该
NTC器件是非线性的。将串联电阻与
NTC有助于使设备显得更加线性的
温度。串联电阻被分割并插在两个
NTC的两侧，以减少噪音注入反馈
循环。对于RISO1和RISO2的建议值是
大约1.0千瓦。
的输出阻抗与电感器温度通过公式变化：
ZOUT （ T）
+
RFB · DCR25C · （ 1
)
0.00393 · C
1
（ T最大
25C))
· 5.94
RDROOP
（当量12）的
通过包括NTC RT2和串联隔离电阻器的新方程变为：
ZOUT （ T）
+
RFB · （ RISO1 ） RT2 （ T） ） RISO2 ）
RFB)RISO1)RT2(T))RISO2
· DCR25C · （ 1
)
0.00393 · C
1
（ T最大
25C))
· 5.94
RDROOP
（当量13）的
一个NTC的典型方程是基于曲线拟合
式（13） 。
RT2(T)
+
RT225C ·电子
b
1
*
1
298
273
)
T
（当量14）的
该演示板填充了一个10千瓦的NTC用
的β 4300图19示出了未补偿和
补偿的输出阻抗与温度的关系。
OVP
过电压保护阈值是不可调的。
OVP保护已启用，一旦开始软启动和
当器件关闭时禁用。当OVP被触发，
控制器命令所有四个栅极驱动器，使
它们的低侧MOSFET和VR_RDY转变为低。
该OVP是非锁存和自动恢复正常。该OVP
电路监测DIFFOUT的输出。如果DIFFOUT
信号达到180毫伏的标称1.3 V抵消了上述
OVP跳闸。该DIFFOUT信号是差
的输出电压和DAC的电压加在间
1.3 V内部抵消。这导致OVP跟踪
即使在在VID一个动态变化的DAC电压
操作过程中设置。
栅极驱动器和MOSFET的选择
安森美半导体提供的同伴栅极驱动器
IC （ NCP3418B ） 。该NCP3418B驱动程序进行了优化，
与一系列的MOSFET中的CPU通常使用工作
应用程序。
该NCP3418B提供特殊
功能和所需的高性能
的部分的动态VID操作。请联系您当地的
安森美半导体应用工程师MOSFET
建议。
电路板叠层
该演示板跟随英特尔推荐
堆叠式和铜的厚度，如图所示。
图19.未补偿和补偿的输出
阻抗与温度
安森美半导体提供了一个Excel电子表格
帮助与NTC的选择。实际的选择
NTC的将被输出的位置来进行
电感器相对于所述NTC和气流，并且应
用一个实际的系统散热解决方案验证。
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