无铅产品
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NCE8205A
D1
D2
NCE N沟道
增强型功率MOSFET
描述
该NCE8205A采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作门
电压低至2.5V 。此装置适合于用作
电池保护或其他开关应用。
S1
S2
G1
G2
原理图
一般特点
●
V
DS
= 20V ，我
D
= 6A
R
DS （ ON）
< 37.5mΩ @ V
GS
=2.5V
R
DS （ ON）
< 27.5mΩ @ V
GS
=4.5V
●
高功率和电流移交能力
●
被收购无铅产品
●
表面贴装封装
标志和引脚分配
应用
电池
保护
●负载
开关
“权力
管理
TSSOP - 8顶视图
包装标志和订购信息
器件标识
8205A
设备
NCE8205A
器件封装
TSSOP-8
带尺寸
330mm
胶带宽度
12mm
QUANTITY
3000台
绝对最大额定值（ TA = 25℃除非另有说明）
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
V
GS
漏电流连续
I
D
漏电流脉冲（注1 ）
I
DM
最大功率耗散
P
D
工作结存储温度范围
T
J
,T
英镑
热特性
热阻，结到环境（注2 ）
R
θJA
极限
20
±10
6
25
1.5
-55到150
单位
V
V
A
A
W
℃
83
℃
/W
电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
参数
符号
条件
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
BV
DSS
I
DSS
V
GS
= 0V我
D
=250μA
V
DS
=20V,V
GS
=0V
民
20
典型值
最大
单位
V
1
μA
无锡NCE功率半导体有限公司
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v1.0
