NAND01G-N
1千兆（ X8 / X16 ） 2112字节页的NAND闪存和
512兆位（ X16 ） LPSDRAM ， 1.8V ，多芯片封装
初步数据
功能摘要
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多芯片封装
- NAND闪存
- 512 MB或1千兆（ X8 / X16 ）大页
尺寸NAND闪存
- 512兆位（ X16 ） SDR或DDR LPSDRAM
温度范围
- -30至85 ℃的
电源电压
- NAND闪存： V
DDF
= 1.7V至1.95V
- LPSDRAM ： V
DDD
= V
DDQD
= 1.7V至1.9V
电子签名
ECOPACK
套餐
FBGA
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TFBGA107 10.5 ×13× 1.2毫米
TFBGA149 10 X 13.5 X 1.2毫米
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SDR / DDR LPSDRAM
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FL灰内存
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接口： x16总线宽度
可编程部分阵列自刷新
自动温度补偿自刷新
深度掉电模式
1.8V LVCMOS接口
由BA0控制四路内部银行和
BA1
裹顺序：顺序/交错
自动和控制预充电
自动刷新和自刷新
8,192刷新周期/ 64ms的
突发终止突发停止命令和
预充电命令
NAND接口
- x8或x16总线宽度
- 复用的地址/数据
PAGE SIZE
- X8设备： （ 2048 + 64备用）字节
- X16设备： （ 1024 + 32备用）字
BLOCK SIZE
- X8设备： （ 128K + 4K备用）字节
- X16设备： （ 64K + 2K备用）词
页面读取/编程
- 随机存取：在25μs （最大值）
- 顺序存取：为50ns （分钟）
- 页编程时间： 300μS （典型值）
复制回编程模式
- 快速页复印，无需外部缓冲
快速块擦除
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）
芯片使能“不在乎”
- 简单的接口与微控制器
状态寄存器
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2006年1月
Rev1.0
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www.st.com
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