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飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MWE6IC9100N
第3版， 12/2008
RF LDMOS宽带集成
功率放大器
该MWE6IC9100N宽带集成电路设计上 - 芯片
匹配，使得它可以使用从869到960兆赫。这种多 - 舞台
结构的额定电流为26至32伏的操作，涵盖所有典型蜂窝基站
站调制。
最终的应用
典型的GSM业绩： V
DD
= 26伏，我
DQ1
= 120毫安，我
DQ2
= 950毫安，
P
OUT
= 100瓦CW ， F = 960 MHz的
功率增益 - 33.5分贝
功率附加效率 - 54 ％
GSM EDGE应用
典型的GSM EDGE性能： V
DD
= 28伏，我
DQ1
= 230 mA时，我
DQ2
=
870毫安，P
OUT
= 50瓦的魅力，全频段（ 869 - 960兆赫）
功率增益 - 35.5分贝
功率附加效率 - 39 ％
频谱再生@ 400 kHz偏置= - 63 dBc的
频谱再生@ 600 kHz偏置= - 81 dBc的
EVM - 2 ％ RMS
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 32 VDC ， 960兆赫， 3分贝高速，
专为增强耐用性
稳定到5： 1的VSWR。所有马刺低于 - 60 dBc的@ 1毫瓦到120瓦CW
P
OUT
.
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
和常见的源极S - 参数
上 - 芯片匹配（ 50欧姆输入，直流阻塞）
集成的静态电流温度补偿用
启用/禁用功能
(1)
集成ESD保护
225℃有能力塑料包装
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R1后缀=每44毫米， 13英寸卷轴500单位。
MWE6IC9100NR1
MWE6IC9100GNR1
MWE6IC9100NBR1
960兆赫， 100 W， 26 V
GSM / EDGE GSM
RF LDMOS WIDEBAND
集成的功率放大器
案例1618年至1602年
TO - 270 WB - 14
塑料
MWE6IC9100NR1
CASE 1621至1602年
TO - 270 WB - 14 GULL
塑料
MWE6IC9100GNR1
案例1617年至1602年
TO - 272 WB - 14
塑料
MWE6IC9100NBR1
V
DS1
RF
in
RF
OUT
/V
DS2
V
GS1
V
GS2
V
DS1
静态电流
温度补偿
(1)
NC
V
DS1
NC
NC
NC
RF
in
RF
in
NC
V
GS1
V
GS2
V
DS1
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
14
RF
OUT
/V
DS2
13
RF
OUT
/V
DS2
（ TOP VIEW ）
注：包的背面裸露的是
源极端子的晶体管。
图1.功能框图
图2.引脚连接
1.参考AN1977 ，
静态电流的热跟踪电路中的射频集成电路系列
和AN1987 ，
静态电流控制
对于射频集成电路器件系列。
去http://www.freescale.com/rf 。选择文档/应用笔记 - AN1977 AN1987或。
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MWE6IC9100NR1 MWE6IC9100GNR1 MWE6IC9100NBR1
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