MURS140 ， MURS160

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威世通用半导体

测试条件

I

F

= 1.0 A

T

J

= 25 °C

T

J

= 150 °C

T

J

= 25 °C

T

J

= 150 °C

I

F

= 0.5 A，I

R

= 1.0 A，I

rr

= 0.25 A

I

F

= 1.0 A， di / dt的= 50 A / μs的，

V

R

= 30 V，I

rr

= 10 % I

RM

I

F

= 1.0 A， di / dt的= 100 A / μs的，

恢复到1.0 V

符号

V

F (1)

I

R (1)

MURS140

1.25

1.05

5.0

150

50

t

rr

t

fr

75

50

ns

MURS160

单位

V

μA

电气特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

最大正向电压

最大瞬时反向电流

额定阻断电压DC

最大反向恢复时间

最大正向恢复时间

ns

记

(1)

脉冲测试： T = 300微秒脉冲的占空比

≤

2 %

p

热特性

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

参数

典型热阻，结到环境

符号

R

θJL

MURS140

13

MURS160

单位

° C / W

订购信息

（例）

首选的P / N

MURS160-E3/52T

MURS160-E3/5BT

MURS160HE3/52T

(1)

MURS160HE3/5BT

(1)

单位重量（g ）

0.096

0.096

0.096

0.096

首选包装代码

52T

5BT

52T

5BT

基地数量

750

3200

750

3200

配送方式

直径7"塑料带和卷轴

直径13"塑料带和卷轴

直径7"塑料带和卷轴

直径13"塑料带和卷轴

记

(1)

AEC- Q101对外贸易资质网络编辑

额定值和特性曲线

(T

A

= 25

°C

除非另有说明）

6.0

50

正向平均整流电流（ A）

5.0

峰值正向浪涌电流（ A）

40

4.0

30

3.0

20

2.0

1.0

10

0

0

25

50

75

100

125

150

175

0

1

10

100

铅温度（ ℃）

周期数的AT 50赫兹

图。 1 - 正向电流降额曲线

图。 2 - 最大非重复性峰值正向浪涌电流

修订： 11月17日11

文档编号： 88688

2

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