MUN5211T1G系列
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和一个基线
发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC-
-70/SOT-
-323包，它是专为低功耗
表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
该SC-
-70/SOT-
-323包可以用波或回流焊接。
修改后的gull-
在-winged线索吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
这些设备是Pb - 免费，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
BASE
（输入）
R
1
R
2
3
1
2
SC-
-70/SOT-
-323
CASE 419
方式3
标记图
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25C
减免上述25℃
热阻，结 - 到 - 环境
热阻，结 - 到 - 铅
结温和存储温度
范围
符号
P
D
最大
202 （注1）
310 （注2）
1.6 （注1 ）
2.5 （注2）
618 （注1 ）
403 （注2）
280 （注1 ）
332 （注2）
- 55 + 150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
C
8X M
G
G
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
英镑
8X =器件代码
M =日期代码*
G
=铅 - 免费套餐
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. FR - 4 @最小焊盘。
2. FR - 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年10月 - 修订版9
-
1
出版订单号：
MUN5211T1/D
