MUN5211T1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
NPN硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。快速公交系统（偏置电阻
晶体管），包含一个带有整体式偏置网络的单个晶体管
由两个电阻器;一系列的基极电阻和基极 - 发射极
电阻器。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。该设备被容纳在
SC - 70 / SOT- 323封装，专为低功耗
表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
采用SC-70 / SOT- 323封装可以通过波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
可在8毫米压纹卷带包装。设备号
订购的7英寸/ 3000单元卷轴。
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
8X M
http://onsemi.com
NPN硅
偏置电阻
晶体管
3脚
集热器
（输出）
销2
辐射源
（接地）
销1
BASE
（输入）
R
1
R
2
标记图
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
热阻
结到铅
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
202 （注1）
310 （注2）
1.6 （注1 ）
2.5 （注2）
618 （注1 ）
403 （注2）
280 （注1 ）
332 （注2）
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
8x
x
M
=具体设备守则
= （参见标记表）
=日期代码
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
订购信息
° C / W
°C
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
器件标识信息
具体见标识信息的器件标识表
在本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
2004年11月
启示录6
1
出版订单号：
MUN5211T1/D
