MUN2111T1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。该
偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管
单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。在BRT消除这些
各个组分通过将它们集成到单个设备中。该
使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该装置
被容纳在所述SC- 59包被设计为低功耗
表面贴装应用。
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值
人体模型：第1类
ESD额定值
机器型号：B类
在SC- 59封装可以用波或回流焊接。
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除了损坏模具的可能性。
无铅包装是否可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
6X M
http://onsemi.com
3脚
集热器
（输出）
R1
销2
BASE
（输入）
R2
销1
辐射源
（接地）
3
2
1
SC59
CASE 318D
塑料
标记图
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻
结到环境
热阻
结到铅
结存储
温度范围
符号
P
D
最大
230 （注1 ）
338 （注2）
1.8 （注1 ）
2.7 （注2）
540 （注1 ）
370 （注2）
264 （注1 ）
287 （注2）
55
+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
°C
6X =具体设备守则*
M =日期代码
订购信息
查看详细的订购和发货信息第2页
此数据表。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
器件标识信息
*请参阅器件标识表本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
2005年1月，
启示录14
1
出版订单号：
MUN2111T1/D
