MSP430F21x1
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SLAS439F
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2004年9月
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经修订的2011年8月
晶体振荡器LFXT1低频模式
(1)
在推荐的电源电压和工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明）
参数
f
LFXT1,LF
f
LFXT1,LF,logic
LFXT1晶体振荡器
高频，低频模式0 ， 1
测试条件
XTS = 0， LFXT1Sx = 0或1
V
CC
1.8 V至3.6 V
1.8 V至3.6 V
10000
民
典型值
32768
32768
500
k
200
1
5.5
8.5
11
2.2 V/3 V
2.2 V/3 V
30
10
50
70
10000
%
Hz
pF
50000
最大
单位
Hz
Hz
LFXT1振荡器逻辑电平
方波输入频率， XTS = 0 ， LFXT1Sx = 3
LF模式
振荡津贴
低频晶体
XTS = 0， LFXT1Sx = 0，
f
LFXT1,LF
= 32768赫兹，C
L， EFF
= 6 pF的
XTS = 0， LFXT1Sx = 0，
f
LFXT1,LF
= 32768赫兹，C
L， EFF
= 12 pF的
XTS = 0， XCAPx = 0
XTS = 0， XCAPx = 1
XTS = 0， XCAPx = 2
XTS = 0， XCAPx = 3
占空比， LF模式
XTS = 0 ，测量温度为P2.0 / ACLK ，
f
LFXT1,LF
= 32768赫兹
XTS = 0， LFXT1Sx = 3
(4)
OA
LF
C
L， EFF
集成的有效载荷
电容， LF模式
(2)
f
故障， LF
(1)
振荡器故障频率，
LF模式
(3)
(2)
(3)
(4)
为了改善EMI的XT1振荡器，遵循以下原则应得到遵守。
（ a）保持装置和所述晶体尽可能短之间的迹线。
（二）设计一个良好的接地平面绕振荡器引脚。
（三）防止来自其它时钟或数据线的串扰进入振荡器引脚XIN和XOUT 。
（四）避免下面或附近布设PCB走线的XIN和XOUT引脚。
（五）使用组装材料和惯例，以避免对振荡器XIN和XOUT引脚上的任何寄生负载。
（六）如果保形涂层使用，确保它不会引起振荡器引脚之间的电容/电阻泄漏。
（ g）不要将XOUT线路由至JTAG头，支持串行编程适配器，如图中的其他文件。这
信号不再需要串行编程适配器。
包括寄生键合及封装电容（每引脚约2 pF的） 。
因为PCB会增加额外的电容，则建议通过测量ACLK频率以验证正确的负载。对于
正确的设置，有效负载电容应该总是匹配所使用的晶体的规格。
最小规格以下的频率设置故障标志。频率MAX以上规格不设置故障标志。
频率之间可能设置的标志。
测得的逻辑电平输入频率，但也适用于操作的晶体。
版权
2004-2011年，德州仪器
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