MSC81250M

NPN硅射频功率晶体管

描述：

该

ASI MSC81250M

是专为

DME / TACAN应用达1150

兆赫。

包装风格.400 2NL FLG

1

2个B

C

F

D

4 x .0 6 2 x 4 5 °

A

.0 2 5 x 4 5 °

2

3

G

H

I

J

K

E

产品特点：

内部输入/输出匹配网络

P

G

= 6.2分贝在250W / 1150兆赫

Omnigold

金属化系统

L

P

M

IM

A

B

M IN IM ü M

于建华（E S） / M M

N

M A X IM ü米

于建华（E S） / M M

.0 2 0 / 0 .5 1

.1 0 0 / 2 .5 4

.3 7 6 / 9 .5 5

.1 1 0 / 2 .7 9

.3 9 5 / 1 0 .0 3

.1 9 3 / 4 .9 0

.4 5 0 / 1 1 .4 3

.1 2 5 / 3 .1 8

.6 4 0 / 1 6 .2 6

.8 9 0 / 2 2 .6 1

.3 9 5 / 1 0 .0 3

.0 0 4 / 0 .1 0

.0 5 2 / 1 .3 2

.1 1 8 / 3 .0 0

.0 3 0 / 0 .7 6

.3 9 6 / 1 0 .0 6

.1 3 0 / 3 .3 0

.4 0 7 / 1 0 .3 4

最大额定值

I

C

V

CC

P

DISS

T

J

T

英镑

θ

JC

17.8 A

55 V

600瓦@ T

C

≤

80 °C

-65 ° C到+ 250℃的

-65℃ + 200 ℃，

0.2 ° C / W

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

P

.6 6 0 / 1 6 .7 6

.9 1 0 / 2 3 .1 1

.4 1 5 / 1 0 .5 4

.0 0 7 / 0 .1 8

.0 7 2 / 1 .8 3

.1 3 1 / 3 .3 3

.2 3 0 / 5 .8 4

1 =收藏家2 =基地3 =发射

特征

符号

BV

CBO

BV

CER

BV

EBO

I

CES

h

FE

P

G

η

C

P

OUT

I

C

= 10毫安

I

C

= 25毫安

I

E

= 1.0毫安

V

CE

= 50 V

T

C

= 25 °C

NONETEST

条件

R

BE

= 10

最小典型最大

65

65

3.5

25

单位

V

V

V

mA

---

dB

%

W

V

CE

= 5.0 V

V

CC

= 50 V

I

C

= 1.0 A

P

IN

= 250 W

F = 1025年至1150年兆赫

15

6.2

40

250

6.5

38

270

120

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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