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这个版本：
2月23日1999
半导体
MSC23137D-xxBS9/DS9
1,048,576字×36位的动态RAM模块：快速页面模式类型
描述
该MSC23137D - xxBS9 / DR9中是一个完全解码， 1,048,576字×36位CMOS动态随机存取存储器
安装与九去耦电容模块SOJ包装由九个4Mb的DRAM的一个72针的玻璃
环氧单列直插式封装。该模块支持任何应用程序，其中的高密度和存储容量大
存储器是必需的。
特点
· 1,048,576字×36位的组织
· 72针插座插入模块
MSC23137D - xxBS9 ：金标签
MSC23137D - xxDS9 ：焊片
·单+ 5V电源± 10 ％容差
=输入
： TTL兼容
=输出
： TTL兼容，三态
·刷新： 1024cycles / 16ms的
· / CAS / RAS刷新之前，隐藏刷新， / RAS只刷新功能
快速页模式功能
·多位测试模式功能
产品系列
访问时间（最大值）。
家庭
t
RAC
MSC23137D-60BS9/DS9
MSC23137D-70BS9/DS9
60ns
70ns
t
AA
30ns
35ns
t
CAC
15ns
20ns
t
OEA
15ns
20ns
周期
时间
（分）
操作（最大）
待机（最大）
功耗
110ns
130ns
4455mW
49.5mW
3960mW
