摩托罗拉
半导体技术资料
飞思卡尔半导体公司
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通过MRF9030M / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店高达1.0千兆赫。这些器件的高增益和宽带性能
使它们非常适用于大信号，共源放大器应用
26伏基站设备。
在945 MHz时， 26伏典型性能
输出功率= 30瓦PEP
功率增益 - 20分贝
效率 - 41 ％ （二声调）
IMD - -31 dBc的
集成ESD保护
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 945兆赫， 30瓦（ CW）
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
双导Boltdown塑料包装，也可用于表面
坐骑。
TO- 272-2在磁带和卷轴。 R1每44毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
TO- 270-2在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
MRF9030MR1
MRF9030MBR1
945兆赫， 30 W， 26 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
飞思卡尔半导体公司...
CASE 1265至08年，风格1
TO-270-2
塑料
MRF9030MR1
案例1337年至1303年，风格1
TO-272-2
塑料
MRF9030MBR1
价值
65
+ 15, - 0.5
139
0.93
- 65 + 150
175
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
最大
1.08
单位
° C / W
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
MRF9030MR1
MRF9030MBR1
类
1 （最低）
M2 （最低）
C7 （最低）
C6 （最低）
湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113
等级
3
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 6
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司2003
设备数据
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
MRF9030MR1 MRF9030MBR1
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