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V
DD
= 30伏直流电，我
DQ
= 1300毫安，脉冲CW ， 10
微秒（上） ，
10 ％占空比
最大输出功率
f
（兆赫）
1930
1960
1995
Z
来源
()
5.06 -- j7.33
10.2 -- j6.91
13.1 -- j0.18
Z
负载（1）
()
2.07 -- j3.37
2.14 -- j3.42
2.39 -- j3.53
P1dB
（ dBm的）
54.3
54.2
54.1
(W)
269
263
257
η
D
(%)
49.2
48.7
48.5
（ dBm的）
55.2
55.1
55.0
P3dB
(W)
331
324
316
η
D
(%)
51.2
50.8
49.7
（ 1 ）负载阻抗，以获得最佳的P1dB功率。
Z
来源
=阻抗从门接触到地面测量。
Z
负载
=阻抗从漏极接触到地面测量。
输入
负载牵引
调谐器
设备
下
TEST
产量
负载牵引
调谐器
Z
来源
Z
负载
图11.负载牵引性能 - 最大的P1dB调整
V
DD
= 30伏直流电，我
DQ
= 1300毫安，脉冲CW ， 10
微秒（上） ，
10 ％占空比
最大漏极效率
f
（兆赫）
1930
1960
1995
Z
来源
()
5.06 -- j7.33
10.2 -- j6.91
13.1 -- j0.18
Z
负载（1）
()
2.44 -- j1.46
2.23 -- j1.55
2.31 -- j1.63
P1dB
（ dBm的）
52.7
52.6
52.6
(W)
186
182
182
η
D
(%)
58.9
57.8
56.6
（ dBm的）
53.4
53.5
53.3
P3dB
(W)
219
224
214
η
D
(%)
61.4
60.3
59.8
（1 ）负载阻抗为最佳的P1dB效率。
Z
来源
=阻抗从门接触到地面测量。
Z
负载
=阻抗从漏极接触到地面测量。
输入
负载牵引
调谐器
设备
下
TEST
产量
负载牵引
调谐器
Z
来源
Z
负载
图12.负载牵引性能 - 最大漏极效率优化
MRF8S18210WHSR3 MRF8S18210WGHSR3
8
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
