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表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度81 ° C， 50瓦CW ， 30伏直流电，我
DQ
= 1300毫安， 1840兆赫
外壳温度101 ° C， 210 W CW
(3)
， 30伏直流电，我
DQ
= 1300毫安， 1840兆赫
符号
R
θJC
价值
(1,2)
0.48
0.44
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试方法
人体模型（每JESD22 - A114 ）
机器型号（每EIA / JESD22 - A115 ）
充电器型号（每JESD22 - C101 ）
类
2
B
IV
表4.电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 30伏直流电，V
GS
= 0伏）
门 - 源极漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 306
μAdc ）
门静态电压
(V
DD
= 30伏直流电，我
D
= 1300 MADC ，测量功能测试）
漏极 - 源极导 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 3.06 ADC）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
1.2
2.0
0.1
1.9
2.7
0.24
2.7
3.5
0.3
VDC
VDC
VDC
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
5
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
功能测试
(4,5)
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 30伏直流电，我
DQ
= 1300毫安，P
OUT
= 50瓦的魅力。 ， F = 1930兆赫，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 9.9分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
功率增益
漏EF网络效率
输出峰 - 到 - 平均比@ CCDF上0.01 ％的概率
相邻通道功率比
输入回波损耗
G
ps
η
D
PAR
ACPR
IRL
17.0
26.0
6.7
—
—
17.8
29.2
7.0
--34.2
--9
20.0
—
—
--30.0
--7
dB
%
dB
dBc的
dB
典型的宽带性能
（飞思卡尔测试夹具， 50欧姆系统）V
DD
= 30伏直流电，我
DQ
= 1300毫安，P
OUT
= 50瓦平均，
单 - 载波W - CDMA ， IQ幅度裁剪，输入信号PAR = 9.9分贝@ CCDF上0.01 ％的概率。 ACPR测量在3.84兆赫
信道带宽@
±5
MHz偏移。
频率
1930兆赫
1960年兆赫
1995年兆赫
G
ps
（ dB）的
17.8
17.8
18.1
η
D
(%)
29.2
28.2
27.6
PAR输出
（ dB）的
7.0
7.0
7.1
ACPR
（ DBC）
--34.2
--34.4
--34.3
IRL
（ dB）的
--9
--9
--13
1. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
2.请参阅AN1955 ，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。
选择文档/应用笔记 - AN1955 。
3.超出推荐的工作条件。见最大额定值表CW操作数据。
4.部分内部对输入和输出匹配两种。
5.测量任何铅形成操作之前与设备直导线的配置应用。
（续）
MRF8S18210WHSR3 MRF8S18210WGHSR3
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
